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DRAM y memoria flash NAND para ser sustituido por MRAM

Actualizado:08-06Fuente: consolidación de la red
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Los fabricantes de chips de memoria que controlan el 90% del mercado de memoria trabajarán juntos en MRAM, comercializado como un NAND y DRAM de reemplazo. La tecnología debe ser tan rápido y eficiente de la energía que puede convertirse en una tecnología de memoria universal. Las empresas tienen como objetivo reemplazar primera DRAM con MRAM y estiman que pueden lograr esto en 2018. Los fabricantes de chips que trabajan en la tecnología incluyen Micron, Samsung, Toshiba, Hynix, Renesas e Hitachi.

DRAM y memoria flash NAND para ser sustituido por MRAM

En 2018 las compañías esperan iniciar la producción en masa de chips MRAM que se dicen ser 10 veces más rápido y 10 veces más datos densos que la DRAM mientras que consume sólo el 30% de la energía utiliza DRAM. Los chips también son menos propensos a llevar a cabo, que es actualmente un problema con la reducción de los chips NAND. Otra característica interesante es que es no volátil, que significa que los datos no se ha ido cuando un sistema que contiene MRAM está apagado.

MRAM o memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva consta de dos elementos magnéticos formados por capas magnéticas. Cada capa puede contener un campo magnético, separados por una delgada capa aislante. Una de las dos capas se fija permanentemente a una polaridad magnética en particular, el campo del otro se puede cambiar para que coincida con la de un campo externo para almacenar la memoria. Esta configuración se conoce como una válvula de giro y es la estructura más simple para un bit MRAM. Un dispositivo de memoria se construye a partir de una red de este tipo de "células".

Lectura de célula se puede lograr mediante la medición de la resistencia eléctrica, la escritura se consigue haciendo pasar una corriente eléctrica a través de un campo magnético inducido.

La marca japonesa de hardware Buffalo ha introducido un SSD con a8 MB de caché MRAM de Everspin este mes. La compañía afirma que el uso de MRAM hace que la unidad más eficiente energéticamente y menos vulnerable a los cortes de energía.